Hall-Effekt (MMR Technology)

Messung des Hall-Koeffizienten, der Ladungsträgerdichte, der Trägerdichte und der Trägerbeweglichkeit. Betrieb bis 10mTorr und zwischen 100K bis 450K.
Der Hall-Effekt ist bei der Charakterisierung von Halbleitern von großem Interesse, da er Zugang zu den wichtigsten Parametern , d. h. der Art der Ladungsträger (Elektronen, Löcher), ihrer Dichte N und ihrer Mobilität µ bietet.