Atomlagenabscheidung (ALD)
Die Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition, ALD) ermöglicht die Abscheidung von atomaren Schichten bei niedrigen Temperaturen, die Abscheidung von konformen Schichten auf komplexen Strukturen mit präziser Dickenkontrolle mit Gleichmäßigkeit im Monolayer-Maßstab und fehlerfreien dichten Schichten (Pinholes). ALD ist damit zu einer wichtigen Technik für die Abscheidung dünner Schichten (Al2O3, ZnO, AZO, MeOx, ...) auf 2D- oder 3D-Oberflächen unterschiedlicher Beschaffenheit (Glas, Stahl, Polymer, ...) geworden. Dieser Oberflächenabscheidungsprozess wird für eine Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, z. B. für die Halbleiterbearbeitung, die TCO-Abscheidung, die Abscheidung hochwertiger Dielektrika, Barriereschichten und die Abscheidung von Metalloxiden auf Substraten mit einer hohen spezifischen Oberfläche für Sensor- oder Batterieanwendungen.
