Notre nouvel équipement de technologie XPS est la dernière génération de la gamme de produits XPS multi-techniques (développé par Physical Electronics), qui connaît un grand succès, avec la source de rayons X, monochromatique, micro-focalisée et à balayage de PHI.

Il utilise des clusters d'argon et des canons de pulvérisation ionique (Ar/C60) pour offrir des analyses à l'échelle nanométrique.

Il permet de déterminer avec précision la composition atomique et chimique de matériaux solides, y compris les isolants, les organiques, les polymères, les poudres, les métaux et les verres, à l’échelle nanométrique. Cet outil donne accès à la composition élémentaire ainsi qu’à l’environnement chimique des éléments en surface d'un matériau (5-10 nm de profondeur). Le profilage en profondeur est également possible.

Il s'agit d'un système facile à utiliser, entièrement automatisé, doté d'un réglage et d'un étalonnage automatiques et de plusieurs positions de stationnement pour un débit élevé.

Le PHI Genesis offre une grande sensibilité et un débit élevé pour les grandes et petites surfaces jusqu'à 5 µm, ainsi qu'un profilage en profondeur unique et non destructif à haut débit grâce à une source Cr à rayons X durs en option.

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Nos points forts :

  • Analyse de tout matériau compatible avec l'ultravide, y compris les isolants, les organiques, les polymères, les poudres, les métaux et les verres
  • Détermination de la composition élémentaire, à l'exception de H et He
  • Analyse quantitative et stœchiométrique, avec des limites de détection d'environ 0,1% atomique
  • Détermination des fonctions chimiques et des degrés d'oxydation
  • Profilage de la composition en profondeur à l'aide de l'analyse angulaire et de l'érosion ionique, avec un canon Ar et C60 pour le profil de polymères
  • Taille d'analyse flexible, allant d'un µ-spot de 10 µm à un spot de 200 µm (balayable sur 1300 x 400 µm maximum)
  • Imagerie avec une résolution spatiale <5 µm (Scanning X-ray induced image),
  • Analyse spectroscopique de haute surface qui permet d'identifier les éléments chimiques et leur environnement sur un matériau à l'échelle nanométrique (10 nm d'épaisseur)
  • Profilage des matériaux organiques par agrégats d’Argon et profilage des matériaux inorganiques jusqu’à 2 µm.