Atomic layer deposition (ALD)
La technique d'Atomic Layer Deposition (ALD) permet le dépôt de couches atomiques à des températures basses, le dépôt de couches conformées sur des structures complexes avec un contrôle précis de l'épaisseur avec une uniformité à l'échelle de la monocouche et des films denses sans défaut (pinholes). L'ALD est donc devenu une technique importante pour déposer des films minces (Al2O3, ZnO, AZO, MeOx,…) sur des surfaces 2D ou 3D de différentes natures (verre, acier, polymère,…). Ce procédé de dépôts de surface est utilisé pour une variété d'applications, telles que le traitement des semi-conducteurs, le dépôt de TCO, le dépôt de diélectriques de haute qualité, de couches barrière et le dépôt d'oxydes métalliques sur des substrats présentant une surface spécifique élevée pour les applications de capteurs, ou batteries.
